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  • 三菱功率模塊半導體器件系列 SiC-MOSFET SiC-MOSFET發揮新材料SiC的特性,能夠突破性地降低電源系統的功率損耗。 SiC-SBD SiC 分立器件發揮新材料SiC的特性,能夠突破性地降低...
    發布時間:2023-02-16 10:56 點擊次數:227 次
  • 英飛凌第7代IGBT7 英飛凌第7代IGBT7亮點 開發出的芯片由 IGBT 7 和 EC(發射極 - 控制)7二極管組成,能*好地滿足變頻通用驅動(GPD)的所有需求。 具有優良的控制能力,在...
    發布時間:2022-12-15 11:24 點擊次數:325 次
  • 新潔能功率半導體命名規則介紹 新潔能致力于推廣性能**、質量穩定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們為電路設計師們提供**的產品選擇,擊穿電壓覆蓋-200V至300V,配合先進的封裝技術,為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們...
    發布時間:2022-12-14 18:09 點擊次數:388 次
  • Infineon英飛凌模塊選型參考 Infineon英飛凌模塊型號解讀 FZ:一單元模塊 FF:兩單元模塊(半橋模塊) FP:七單元模塊(功率集成模塊) FD/DF:斬波模塊 F4:四單元模塊 FS:六單元模塊 ...
    發布時間:2020-06-23 19:04 點擊次數:2227 次
  • SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規則 舉例:SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示應用技術或者模塊結構: M——表示采用MOS技術 D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器) ...
    發布時間:2020-03-13 18:36 點擊次數:2054 次
  • 英飛凌IGBT模塊的檢測方法 英飛凌IGBT模塊有三個電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極) 一、用指針式萬用表對英飛凌IGBT模塊場效應管進行判別 (1)用測電阻法判別英飛凌IGBT模塊結型場效應管的...
    發布時間:2019-06-06 12:23 點擊次數:2749 次
  • IGBT逆變焊機基礎知識 IGBT逆變焊機基礎知識 一、關于逆變焊機 1、什么叫逆變焊機 采用逆變技術的弧焊電源稱為逆變焊機。逆變過程需要大功率電子開關器件,采用IGBT作為開關器件的逆變焊機稱為IGBT逆變焊機。 2、逆變焊機工...
    發布時間:2019-01-01 14:37 點擊次數:1979 次
  • IGBT和替換品碳化硅到底是什么? 一直以來,很多人都認為新能源汽車的關鍵是電池,甚至“三電”之中,電池始終排在**位,但事實上,新能源汽車,尤其是中國新能源汽車發展*有提升空間的,當屬驅動電機。 2018年12月16日,在中國電動汽車百人會論壇媒體...
    發布時間:2018-12-28 14:28 點擊次數:1838 次
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